SMIC تا پایان 2025 به فناوری ساخت تراشه 5 نانومتری دست پیدا می‌کند؛ هزینه تولید بالا مهم‌ترین مانع پیش‌رو

پس از اینکه فناوری 7 نانومتری شرکت چینی SMIC با موفقیت در تولید تراشه Kirin 9000S به کار گرفته شد اکنون اطلاعاتی در دسترس قرار گرفته که نشان می‌دهد این شرکت قصد دارد تا پایان سال 2025 به فناوری تولید تراشه 5 نانومتری دست پیدا کند. البته این گزارش نشان می‌دهد که در این مسیر و برای تولید انبوه تراشه‌ها با استفاده از این فناوری مسیری سخت و پر چالش پیش روی این شرکت است.

در سال گذشته هواوی موفق شد وابستگی خود به تراشه‌های خارجی را با استفاده از فرایند ساخت ۷ نانومتری شرکت SMIC در تولید تراشه Kirin 9000S کاهش دهد؛ تراشه‌ای که برای نخستین بار در گوشی‌های پرچم‌دار سری میت 60 مورد استفاده قرار گرفت. اکنون اطلاعاتی منتشر شده که نشان می‌دهد SMIC هم اکنون مشغول کار بر روی فناوری تولید تراشه 5 نانومتری خود است و قصد دارد آن را برای تولید انبوه تراشه‌ها در سال 2026 آماده کند. دست‌یابی به این فناوری پیشرفته در تولید تراشه می‌تواند گامی مهم و قابل توجه برای شرکت‌های چینی در کاهش وابستگی‌ها باشد.

براساس گزارش Wccftech و داده‌هایی که توسط شرکت Kiwoom Securities منتشر شده، SMIC قرار است توسعه فناوری ۵ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۵ میلادی به پایان برساند. البته با توجه به اینکه گفته می‌شود تراشه Kirin 9020  در سری گوشی‌های میت 70 هواوی با استفاده از فناوری ۷ نانومتری به تولید انبوه می‌رسد، می‌توان حدس زد که کارخانه چینی SMIC با چالش‌های متعددی در زمینه توسعه فناوری ۵ نانومتری رو به ‌رو شده است. این گزارش اشاره می‌کند که اگرچه دستیابی به این هدف جاه‌طلبانه برای SMIC کاملاً امکان‌ پذیر است، اما این مسیر خالی از دردسر و مشکل نخواهد بود.

گفته می‌شود هزینه تولید ویفرهای ۵ نانومتری توسط SMIC احتمالاً تا ۵۰ درصد بیشتر از TSMC در فناوری مشابه خواهد بود، و میزان بازده تولید نیز تنها به ۳۳ درصد خواهد رسید که رقم ناچیزی است. علت افزایش این هزینه استفاده از تجهیزات قدیمی‌تر نسل DUV به جای تجهیزات EUV است که برای دستیابی به این لیتوگرافی نیازمند طی کردن مراحل بیشتری است. امروزه استفاده از تجهیزات پیشرفته‌ EUV برای تولید انبوه ویفرها با لیتوگرافی‌های پیچیده‌تر ضروری است.