سیناپسیس موفق به توسعه LPDDR6 روی فرآیند ۲ نانومتری TSMC شد

شرکت Synopsys از تست موفق حافظه LPDDR6 خود روی فرآیند ساخت پیشرفته N2P شرکت TSMC خبر داده است. به گفته‌ی سیناپسیس، بلوک LPDDR6 جدید توانسته به پهنای باند 86 گیگابایت بر ثانیه دست یابد؛ رقمی که با استانداردهای رسمی JEDEC هم‌خوانی دارد.

این دستاورد یکی از نخستین نمونه‌های استفاده از فرآیند ۲ نانومتری N2P شرکت TSMC  در طراحی حافظه  LPDDR6 است. شرکت Synopsys ادعا می‌کند که نمونه‌ اولیه آن‌ها، عرض باند ۸۶ گیگابایت بر ثانیه ارائه می‌دهد که تقریباً با نرخ هر پین طبق استاندارد JEDEC برابر است، یعنی حدود ۱۰.۶۶۷ گیگابیت بر ثانیه. بیشینه سرعت تئوری برای هر پین حدود ۱۴.۴ گیگابایت به دست آمده که در پهنای باند نهایی را به ۱۱۵ گیگابایت بر ثانیه می‌رساند.

چنین افزایشی نسبت به نسبت به LPDDR5 که سرعت تقریبی 25 Gbps و LPDDR5X که سرعت تقریبی 34 Gbps را ارائه می‌دادند، جهش بسیار بزرگی در عملکرد محسوب می‌شود.

سیناپسیس می‌گوید ترکیب فناوری LPDDR6 با نود N2P، امکان ساخت تراشه‌هایی کوچک‌تر، کارآمدتر و مناسب برای کاربردهایی چون نسل بعدی تجهیزات قابل حمل، هوش مصنوعی درون‌دستگاهی و سیستم‌های پیشرفته با مصرف انرژی به مراتب کمتر را فراهم می‌سازد. انتظار می‌رود حافظه‌های مبنتی بر استاندارد LPDDR6 از سال آینده به‌صورت گسترده در محصولات تجاری مورد استفاده قرار گیرد.