اس اس دی های با ظرفیت بیشتر و قیمت 50 درصد ارزان‌تر با نسل نهم حافظه‌های QLC سامسونگ

پس از عرضه حافظه‌های فلش NAND V9 TLC جدید در ماه آوریل، حالا سامسونگ از تولید انبوه حافظه فلش نسل نهم V9 QLC خود خبر داده است. حافظه‌های V9 با فضای ذخیره‌سازی بیشتر در مدل‌های یک ترابیتی به صورت انبوه تولید می‌شود.

سامسونگ به تازگی اعلام کرده است که حافظه فلش V9 QLC آن از فناوری Channel Hole Etching برای دستیابی به بالاترین تعداد لایه‌ها در صنعت حافظه بهره می‌برد و دارای طراحی دو پشته است. به گفته سامسونگ، V9 QLC با استفاده از درس‌هایی که از نسل نهم نوع TLC خود آموخته است، تقریباً 86 درصد متراکم‌تر از نسل قبلی فلش QLC V-NAND است.

این شرکت همچنین از فناوری قالب‌سازی طراحی شده و فناوری برنامه پیش‌بینی برای افزایش عملکرد نگهداری داده‌ها تا حدود 20 درصد و بهبود سرعت ورودی/خروجی داده‌ها تا 60 درصد استفاده می‌کند.

توان مصرفی نیز به لطف قابلیتی که سامسونگ آن را Low-Power Design (طراحی کم‌مصرف) می‌نامد، به شدت کاهش یافته است. این تکنیک تنها با ارسال خطوط بیت لازم، ولتاژی که سلول‌هایNAND  را به حرکت در می‌آورد، کاهش می‌دهد و مصرف برق را به ترتیب 30 و 50 درصد برای خواندن و نوشتن داده‌ها کاهش می‌دهد.

سامسونگ قصد دارد نسل نهم QLC خود را به محصولات مختلف، از SSD های رایج تا حافظه UFS گوشی‌های هوشمند، گسترش دهد. همچنین به طور خاص بیان کرده است که QLC به عنوان SSD  های مبتنی بر سرور در دسترس مشتریان ارائه دهنده خدمات ابری قرار خواهد گرفت.

با این پیشرفت‌ها، سامسونگ می‌تواند درایوها را تقریباً 50 درصد ارزان‌تر از SSD‌های با ظرفیت بالاتر در بازار امروز، چه درایوهای PCIe M.2 مصرف‌کننده، چه درایوهای SSD سرور U.2 یا اس اس دی های با فرمت فاکتور بزرگ‌تر تولید کند.