انقلاب در دنیای تراشه‌ها با نسل جدید ترانزیستورهای IBM

مهندسان IBM به تازگی نوع جدیدی از ترانزیستورها را توسعه داده‌اند که در دماهای بسیار پایین نیز عملکرد مناسبی داشته و جایگزین مناسبی برای فین‌فت‌ها (FinFET) محسوب می‌شود. همچنین این فناوری در توسعه تراشه‌های قدرتمند با ابعاد کوچک‌تر کاربرد خواهد داشت. جزئیات بیشتر را در . بخوانید.

خنک‌کردن قطعات الکترونیکی با نیتروژن مایع می‌تواند عملکرد آنها را بهبود دهد، اما ترانزیستورهای امروزی توان تحمل دماهای پایین را ندارند. در همین رابطه محققان IBM از عرضه ترانژیستورهای جدیدی خبر دادند که برای خنک‌سازی با نیتروژن مایع بهینه‌ شده است.

در واقع نیتروژن مایع در دمای منفی 196 درجه سانتیگراد به نقطه جوش خود می‌رسد و تراشه‌های فعلی توان مقاومت و فعالیت در چنین دماهای پایینی را ندارند. همین امر دانشمندان را به این فکر انداخته تا تراشه‌هایی بسازند که در دماهای بسیار پایین هم بتوانند به فعالیت خود ادامه دهند.

نسل جدید ترانزیستورها با معماری نانوصفحه‌ای این امکان را فراهم می‌سازد تا بتوان 50 میلیارد ترانزیستور را در فضایی به‌اندازه یک ناخن قرار داد. این ترانزیستورها جایگزین فناوری فعلی FinFET شده و قرار است در پردازنده‌های 2 نانومتری IBM استفاده شوند.

این ترانزیستور در مجاورت نیتروژن مایع در مقایسه با شرایط دمای اتاق، تقریباً دو برابر عملکرد بهتری دارد. همچنین کاهش اندازه تراشه از طریق کاهش پهنای ترانزیستورها موجب کاهش قابل ملاحظه مصرف انرژی خواهد شد.

به صورت خلاصه می‌توان گفت که فناوری جدید می‌تواند منجر به ایجاد تراشه قدرتمندی شود که در حضور خنک‌کننده نیتروژن مایع می‌تواند عملکرد خارق‌العاده‌ای از خود به نمایش بگذارد.